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Últimas soluciones de la empresa sobre Prueba del fotodiodo
2025-02-18

Prueba del fotodiodo

Descripción general El diodo es un dispositivo semiconductor que convierte la luz en la corriente. Hay una capa intrínseca entre las capas P (positivas) y N (negativas). El fotodiodo acepta la energía de la luz como entrada para generar corriente eléctrica. Los fotodiodos también se conocen como ...
Últimas soluciones de la empresa sobre Prueba del rendimiento eléctrico de los tríodos y transistores bipolares
2023-03-31

Prueba del rendimiento eléctrico de los tríodos y transistores bipolares

El transistor de unión bipolar-BJT es uno de los componentes básicos de los semiconductores. Tiene la función de amplificación de corriente y es el componente central de los circuitos electrónicos.El BJT está hecho en un sustrato semiconductor con dos uniones PN que están muy cerca el uno del ...
Últimas soluciones de la empresa sobre Pruebas de diodos IV y C-V
2023-03-31

Pruebas de diodos IV y C-V

Un diodo es un componente conductor unidireccional hecho de materiales semiconductores. La estructura del producto es generalmente una única estructura de unión PN, que solo permite que la corriente fluya en una dirección.Los diodos se utilizan ampliamente en la rectificaciónLos circuitos de ...
Últimas soluciones de la empresa sobre Prueba de parámetros del dispositivo RF GAN HEMT
2025-02-28

Prueba de parámetros del dispositivo RF GAN HEMT

Los dispositivos de radiofrecuencia son los componentes básicos para realizar la transmisión y recepción de señales y son el núcleo de la comunicación inalámbrica, principalmente incluyendo filtros (Filter), amplificadores de potencia (PA),con una capacidad de transmisión superior a 300 WEn la ...
Últimas soluciones de la empresa sobre Solución de ensayo de parámetros estáticos del dispositivo de alimentación IGBT preciso
2025-02-28

Solución de ensayo de parámetros estáticos del dispositivo de alimentación IGBT preciso

IGBT y su desarrollo de aplicaciones IGBT (transistor bipolar de puerta aislada) es el dispositivo central de control de energía y conversión de energía.Se trata de un dispositivo semiconductor de potencia totalmente controlado por voltaje compuesto por BJT (transistor bipolar) y MOS (transistor de ...
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