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Detalles de los productos

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Unidad de la medida de la fuente
Created with Pixso. Unidad de medición de la fuente de semiconductores 100V 1A 10A Unidad de medición de la fuente de pulso P200

Unidad de medición de la fuente de semiconductores 100V 1A 10A Unidad de medición de la fuente de pulso P200

Nombre De La Marca: PRECISE INSTRUMENT
Número De Modelo: P200
Cuota De Producción: 1 Unidad
Tiempo De Entrega: Entre 2 y 8 semanas
Condiciones De Pago: T/T
Información detallada
Lugar de origen:
porcelana
V-rango:
300 mV a 100 V
Las categorías I:
Modo de pulso: 10nA10A Modo CC: 10nA1A
Límites de potencia:
Modo de corriente continua: máximo 30 W /Modo de pulso: máximo 300 W
Anchura de pulso mínima:
200 μs
Tasa de muestreo:
100,000 S/S
Detalles de empaquetado:
En cartón.
Capacidad de la fuente:
500 SET/MONTH
Resaltar:

Unidad de medición de la fuente de semiconductores

,

Unidad de medición de la fuente de 100 V

,

Unidad P200 del medidor de fuente de pulso

Descripción del producto

Unidad de medición de la fuente de semiconductores 100V 1A 10A Unidad de medición de la fuente de pulso P200

El P200 Benchtop Pulse Source Meter es un instrumento de prueba de alto rendimiento diseñado para integrar mediciones de precisión, salida de amplio rango dinámico y operación digital táctil intuitiva.Con una pantalla táctil de 5 pulgadas con una simplicidad similar a un teléfono inteligente, el P200 ofrece una salida de hasta 100 V y una corriente pulsada de 10 A, al tiempo que admite un funcionamiento de cuatro cuadrantes.sirve como una herramienta versátil para caracterizar semiconductores, nanomateriales, electrónica orgánica, electrónica impresa y otros componentes a pequeña escala y de baja potencia.


Características del producto

▪ ¿Cómo?Precisión y fiabilidad:La tecnología de medición avanzada garantiza una precisión de corrientes pulsadas de 1pA a 10A, garantizando datos confiables para aplicaciones críticas.

▪ ¿Cómo?Interfaz fácil de usar:La interfaz gráfica simplificada con una pantalla táctil de 5 pulgadas simplifica las configuraciones complejas, incluso para usuarios novatos.

▪ ¿Cómo?Amplio rango de ensayo:Cubre corrientes pulsadas de 1pA1A CC y 10A, voltaje 0100V, sensores de soporte, módulos de potencia y dispositivos de baja potencia.

▪ ¿Cómo?Salida de pulso estable:Alcanza un ancho de pulso mínimo de 200 μs con un control preciso, ideal para pruebas de semiconductores de alta velocidad.

▪ ¿Cómo?Modos de funcionamiento flexibles:El suministro bidireccional de corriente/enriquecimiento (modo fuente/enriquecimiento) simula escenarios del mundo real, incluidos los ensayos de recuperación de energía.

▪ ¿Cómo?Escaneo avanzado:Los barridos lineales, logarítmicos y personalizados optimizan la caracterización IV para materiales o dispositivos con comportamientos no lineales.

▪ ¿Cómo?Gestión eficiente de los datos:El almacenamiento USB y la generación de informes con un solo clic agilizan el análisis y el intercambio de datos.

▪ ¿Cómo?Integración sin fisuras:Las interfaces RS-232, GPIB y LAN permiten la integración del sistema ATE y el control remoto.


Parámetros del producto

Las partidas

Parámetros

V-rango

300 mV a 100 V

Las categorías I

Modo de pulso: 10nA10A Modo CC: 10nA1A

Límites de potencia

Modo de corriente continua: máximo 30 W /Modo de pulso: máximo 300 W

Ancho mínimo del pulso

200 μs

Tasa de muestreo

100,000 S/s

Precisión

± 0,1%

Activación: polaridad del disparador de E/S configurable

Polaridad del disparador de E/S

Muestra

Pantalla táctil de 5 pulgadas

Interfaces

RS-232, GPIB, red local

Almacenamiento

Soporte de USB

Fuente de alimentación

100-240 V CA, 50/60 Hz


Aplicaciones

▪ ¿Cómo?Industria de semiconductores:Prueba de fugas inversas en diodos, características de conmutación de MOSFET y rendimiento a altas temperaturas de dispositivos SiC para I+D y control de calidad.

▪ ¿Cómo?Energía y tecnología de pantalla:Medir el brillo del LED/AMOLED, la cromaticidad y la eficiencia energética.

▪ ¿Cómo?Validación del sensor:Asegurar la linealidad de los sensores de presión, la sensibilidad de los sensores de temperatura y la fiabilidad para el IoT y la automatización industrial.

▪ ¿Cómo?Ciencias de los materiales:Caracterizar la tinta electrónica para pantallas flexibles, la conductividad de grafeno / nanocables y los semiconductores orgánicos para la electrónica de próxima generación.



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Unidad de la medida de la fuente
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Unidad de medición de la fuente de semiconductores 100V 1A 10A Unidad de medición de la fuente de pulso P200

Nombre De La Marca: PRECISE INSTRUMENT
Número De Modelo: P200
Cuota De Producción: 1 Unidad
Detalles Del Embalaje: En cartón.
Condiciones De Pago: T/T
Información detallada
Lugar de origen:
porcelana
Nombre de la marca:
PRECISE INSTRUMENT
Número de modelo:
P200
V-rango:
300 mV a 100 V
Las categorías I:
Modo de pulso: 10nA10A Modo CC: 10nA1A
Límites de potencia:
Modo de corriente continua: máximo 30 W /Modo de pulso: máximo 300 W
Anchura de pulso mínima:
200 μs
Tasa de muestreo:
100,000 S/S
Cantidad de orden mínima:
1 Unidad
Detalles de empaquetado:
En cartón.
Tiempo de entrega:
Entre 2 y 8 semanas
Condiciones de pago:
T/T
Capacidad de la fuente:
500 SET/MONTH
Resaltar:

Unidad de medición de la fuente de semiconductores

,

Unidad de medición de la fuente de 100 V

,

Unidad P200 del medidor de fuente de pulso

Descripción del producto

Unidad de medición de la fuente de semiconductores 100V 1A 10A Unidad de medición de la fuente de pulso P200

El P200 Benchtop Pulse Source Meter es un instrumento de prueba de alto rendimiento diseñado para integrar mediciones de precisión, salida de amplio rango dinámico y operación digital táctil intuitiva.Con una pantalla táctil de 5 pulgadas con una simplicidad similar a un teléfono inteligente, el P200 ofrece una salida de hasta 100 V y una corriente pulsada de 10 A, al tiempo que admite un funcionamiento de cuatro cuadrantes.sirve como una herramienta versátil para caracterizar semiconductores, nanomateriales, electrónica orgánica, electrónica impresa y otros componentes a pequeña escala y de baja potencia.


Características del producto

▪ ¿Cómo?Precisión y fiabilidad:La tecnología de medición avanzada garantiza una precisión de corrientes pulsadas de 1pA a 10A, garantizando datos confiables para aplicaciones críticas.

▪ ¿Cómo?Interfaz fácil de usar:La interfaz gráfica simplificada con una pantalla táctil de 5 pulgadas simplifica las configuraciones complejas, incluso para usuarios novatos.

▪ ¿Cómo?Amplio rango de ensayo:Cubre corrientes pulsadas de 1pA1A CC y 10A, voltaje 0100V, sensores de soporte, módulos de potencia y dispositivos de baja potencia.

▪ ¿Cómo?Salida de pulso estable:Alcanza un ancho de pulso mínimo de 200 μs con un control preciso, ideal para pruebas de semiconductores de alta velocidad.

▪ ¿Cómo?Modos de funcionamiento flexibles:El suministro bidireccional de corriente/enriquecimiento (modo fuente/enriquecimiento) simula escenarios del mundo real, incluidos los ensayos de recuperación de energía.

▪ ¿Cómo?Escaneo avanzado:Los barridos lineales, logarítmicos y personalizados optimizan la caracterización IV para materiales o dispositivos con comportamientos no lineales.

▪ ¿Cómo?Gestión eficiente de los datos:El almacenamiento USB y la generación de informes con un solo clic agilizan el análisis y el intercambio de datos.

▪ ¿Cómo?Integración sin fisuras:Las interfaces RS-232, GPIB y LAN permiten la integración del sistema ATE y el control remoto.


Parámetros del producto

Las partidas

Parámetros

V-rango

300 mV a 100 V

Las categorías I

Modo de pulso: 10nA10A Modo CC: 10nA1A

Límites de potencia

Modo de corriente continua: máximo 30 W /Modo de pulso: máximo 300 W

Ancho mínimo del pulso

200 μs

Tasa de muestreo

100,000 S/s

Precisión

± 0,1%

Activación: polaridad del disparador de E/S configurable

Polaridad del disparador de E/S

Muestra

Pantalla táctil de 5 pulgadas

Interfaces

RS-232, GPIB, red local

Almacenamiento

Soporte de USB

Fuente de alimentación

100-240 V CA, 50/60 Hz


Aplicaciones

▪ ¿Cómo?Industria de semiconductores:Prueba de fugas inversas en diodos, características de conmutación de MOSFET y rendimiento a altas temperaturas de dispositivos SiC para I+D y control de calidad.

▪ ¿Cómo?Energía y tecnología de pantalla:Medir el brillo del LED/AMOLED, la cromaticidad y la eficiencia energética.

▪ ¿Cómo?Validación del sensor:Asegurar la linealidad de los sensores de presión, la sensibilidad de los sensores de temperatura y la fiabilidad para el IoT y la automatización industrial.

▪ ¿Cómo?Ciencias de los materiales:Caracterizar la tinta electrónica para pantallas flexibles, la conductividad de grafeno / nanocables y los semiconductores orgánicos para la electrónica de próxima generación.