Sistema de ensayo C-V para dispositivos semiconductores de 10 Hz a 1 MHz

La medición de tensión de la capacidad (C-V) se utiliza ampliamente para caracterizar los parámetros de los semiconductores, particularmente en los condensadores MOS (MOS CAP) y las estructuras MOSFET.La capacidad de una estructura de semiconductores de óxido metálico (MOS) es una función del voltaje aplicadoLa curva que representa la variación de la capacitancia con el voltaje se denomina curva C-V (o características C-V). Esta medición permite la determinación precisa de parámetros críticos, incluyendo:

· elespesor de la capa de óxido (dox)

· elConcentración de dopaje en el sustrato (Nn)

· elDensidad de carga móvil en el óxido (Q1)

· elDensidad de carga de óxido fija (Qfc).

Características del producto

▪ ¿Cómo?Amplio rango de frecuencias: 10 Hz1 MHz con puntos de frecuencia ajustables de forma continua.

▪ ¿Cómo?Alta precisión y amplio rango dinámico: rango de sesgo de 0 V a 3500 V con una precisión del 0,1%.

▪ ¿Cómo?Pruebas de CV integradas: el software de pruebas de CV automatizado integrado admite múltiples funciones, incluidas C-V (tensión de capacidad), C-T (tiempo de capacidad) y C-F (frecuencia de capacidad).

▪ ¿Cómo?IV Compatibilidad de ensayo: mide simultáneamente las características de ruptura y el comportamiento de la corriente de fuga.

▪ ¿Cómo?Trazado de curvas en tiempo real: La interfaz de software intuitiva visualiza los datos de prueba y las curvas para el monitoreo en tiempo real.

▪ ¿Cómo?Alta escalabilidad: el diseño modular del sistema permite una configuración flexible basada en las necesidades de prueba.

Parámetros del producto

Aplicaciones

▪ ¿Cómo?Nanomateriales: Resistividad, movilidad del portador, concentración del portador, voltaje de Hall

▪ ¿Cómo?Materiales flexibles: Prueba de tracción/torsión/doblación, tiempo de voltaje (V-t), tiempo de corriente (I-t), tiempo de resistencia (R-t), resistencia, sensibilidad, capacidad de unión.

▪ ¿Cómo?Dispositivos discretos:BVDSS,IGSS,IDSS,Vgs ((th),Ciss/Coss/Crss (entrada/salida/reverso).

▪ ¿Cómo?Fotodetectores: Corriente oscura (ID), capacidad de unión (Ct), voltaje de ruptura inverso (VBR), capacidad de respuesta (R).

▪ ¿Cómo?Celdas solares de perovskita:Voltaje de circuito abierto (VOC), corriente de cortocircuito (ISC), potencia máxima (Pmax), tensión de potencia máxima (Vmax), corriente de potencia máxima (Imax), factor de llenado (FF), eficiencia (η),Resistencia de serie (Rs), Resistencia de derivación (Rsh), Capacidad de unión.

▪ ¿Cómo?LED/OLED/QLED:Voltaje hacia adelante (VF),Corrente umbral (Ith),Voltaje inverso (VR),Corrente inversa (IR),Capacidad de unión.